контакт двух различных по химическому составу
полупроводников (См.
Полупроводники)
. На границе раздела изменяется обычно ширина запрещенной зоны Δ
E, подвижность носителей тока, их эффективные массы и др. характеристики
полупроводников. В "резком" П. г. изменение свойств происходит на расстоянии, сравнимом или меньшем, чем ширина области объёмного заряда (см.
Электронно-дырочный переход)
. В зависимости от легирования обеих сторон П. г. можно создать
р-n-гетеропереходы (анизотипные),
р-р- и
n-n-гетеропереходы (изотипные). Комбинации различных П. г. и
р-n-переходов образуют гетероструктуры.
Идеальная стыковка кристаллических решёток в П. г. возможна лишь при совпадении типа, ориентации и периода кристаллических решёток сращиваемых материалов. Кроме того, в идеальном П. г. граница раздела должна быть свободна от структурных и др. дефектов (дислокаций (См.
Дислокации)
, заряженных центров и т.п.) и механических напряжений. Наиболее широко применяются монокристаллические П. г. между полупроводниковыми соединениями типа
AIIIBV и их твёрдыми растворами (См.
Твёрдые растворы) на основе арсенидов, фосфидов и антимонидов Ga и Al. Благодаря близости ковалентных радиусов Ga и Al изменение химического состава происходит без изменения периода решётки. Изготовление монокристаллических П. г. и гетероструктур стало возможным благодаря развитию методов эпитаксиального наращивания полупроводниковых кристаллов.
Лит.: Алферов Ж. И., Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего, в кн.: Физика сегодня и завтра, под ред. В. М. Тучкевича, Л., 1973; Елисеев П. Г., Инжекционные лазеры на гетеропереходах, "Квантовая электроника", 1972, № 6; Алферов Ж. И., Инжекционные гетеролазеры, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, под ред. Я. Федотова, в. 25, М., 1971.
Ж. И. Алферов.